Справочник MOSFET. 2N5566

 

2N5566 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2N5566
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.65 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 100 Ohm
   Тип корпуса: TO-71
 

 Аналог (замена) для 2N5566

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N5566 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:89K  vishay
2n5564 2n5565 2n5566.pdfpdf_icon

2N5566

2N5564/5565/5566Vishay SiliconixMatched N-Channel JFET PairsPRODUCT SUMMARYPart Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IG Typ (pA) jVGS1 - VGS2j Max (mV)2N5564 -0.5 to -3 -40 7.5 -3 52N5565 -0.5 to -3 -40 7.5 -3 102N5566 -0.5 to -3 -40 7.5 -3 20FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Two-Chip Design D Tight Differential Match vs. Current D Wideband Differential AmpsD High

Другие MOSFET... 2N5523 , 2N5524 , 2N5545 , 2N5546 , 2N5547 , 2N5555 , 2N5564 , 2N5565 , IRF530 , 2N5638 , 2N5639 , 2N5902 , 2N5903 , 2N5904 , 2N5905 , 2N5906 , 2N5907 .

History: IRFS9620 | FDP8N50NZU | TPB70R950C | NTMFS4939NT1G | CS10N60A8HD | AP9435GP-HF | RS1G120MN

 

 
Back to Top

 


 
.