2N5566 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N5566  📄📄 

Тип транзистора: JFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.65 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 3 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 100 Ohm

Тип корпуса: TO-71

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 2N5566

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N5566 даташит

 ..1. Size:89K  vishay
 2n5564 2n5565 2n5566.pdf pdf_icon

2N5566

2N5564/5565/5566 Vishay Siliconix Matched N-Channel JFET Pairs PRODUCT SUMMARY Part Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IG Typ (pA) jVGS1 - VGS2j Max (mV) 2N5564 -0.5 to -3 -40 7.5 -3 5 2N5565 -0.5 to -3 -40 7.5 -3 10 2N5566 -0.5 to -3 -40 7.5 -3 20 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Two-Chip Design D Tight Differential Match vs. Current D Wideband Differential Amps D High

Другие IGBT... 2N5523, 2N5524, 2N5545, 2N5546, 2N5547, 2N5555, 2N5564, 2N5565, IRF1010E, 2N5638, 2N5639, 2N5902, 2N5903, 2N5904, 2N5905, 2N5906, 2N5907