Справочник MOSFET. 2N5566

 

2N5566 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2N5566
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.65 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 100 Ohm
   Тип корпуса: TO-71
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2N5566 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:89K  vishay
 2n5564 2n5565 2n5566.pdf pdf_icon

2N5566

2N5564/5565/5566Vishay SiliconixMatched N-Channel JFET PairsPRODUCT SUMMARYPart Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IG Typ (pA) jVGS1 - VGS2j Max (mV)2N5564 -0.5 to -3 -40 7.5 -3 52N5565 -0.5 to -3 -40 7.5 -3 102N5566 -0.5 to -3 -40 7.5 -3 20FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Two-Chip Design D Tight Differential Match vs. Current D Wideband Differential AmpsD High

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: TK10A80W | 2SK3355 | 2SK3572-Z | IPN60R3K4CE | NTTFS015N04C | FDPF51N25 | STD4NK60ZT4

 

 
Back to Top

 


 
.