2N5912 Todos los transistores

 

2N5912 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N5912
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 4 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.04 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Paquete / Cubierta: TO-99
 

 Búsqueda de reemplazo de 2N5912 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2N5912 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  vishay
 2n5911 2n5912.pdf pdf_icon

2N5912

2N5911/5912Vishay SiliconixMatched N-Channel JFET PairsPRODUCT SUMMARYPart Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IG Typ (pA) jVGS1 VGS2j Max (mV)2N5911 1 to 5 25 5 1 102N5912 1 to 5 25 5 1 15FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Two-Chip Design D Minimum Parasitics Ensuring Maximum D Wideband Differential AmpsHigh-Frequency PerformanceD High

 ..2. Size:24K  calogic
 2n5911 2n5912.pdf pdf_icon

2N5912

Dual N-Channel JFETHigh Frequency AmplifierCORPORATION2N5911 / 2N5912FEATURES ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T = 25oC unless otherwise specified)A Tight Tracking Low Insertion Loss Gate-Drain or Gate-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . -25V Good Matching Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mAStorage Te

 9.1. Size:311K  rca
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2N5912

 9.2. Size:65K  central
 2n5910 pn5910 2n5771.pdf pdf_icon

2N5912

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

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History: FQB19N20CTM | FTK1N60P

 

 
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