2N5912 Todos los transistores

 

2N5912 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N5912

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.5 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 25 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 4 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.04 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Empaquetado / Estuche: TO-99

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2N5912

 

2N5912 Datasheet (PDF)

1.1. 2n5911 2n5912.pdf Size:58K _vishay

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2N5911/5912 Vishay Siliconix Matched N-Channel JFET Pairs PRODUCT SUMMARY Part Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IG Typ (pA) jVGS1 VGS2j Max (mV) 2N5911 1 to 5 25 5 1 10 2N5912 1 to 5 25 5 1 15 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Two-Chip Design D Minimum Parasitics Ensuring Maximum D Wideband Differential Amps High-Frequency Performance D High Slew Rate D High-Spe

1.2. 2n5911 2n5912.pdf Size:24K _calogic

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Dual N-Channel JFET High Frequency Amplifier CORPORATION 2N5911 / 2N5912 FEATURES ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25oC unless otherwise specified) A Tight Tracking Low Insertion Loss Gate-Drain or Gate-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . -25V Good Matching Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA Storage Temperature Range

 5.1. 2n591.pdf Size:311K _rca

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5.2. 2n5910 pn5910 2n5771.pdf Size:65K _central

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145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

Otros transistores... NTD70N03R , NTE4151P , NTE4153N , NTF2955 , NTF3055-100 , NTF3055L108 , NTF5P03T3 , NTF6P02 , IRF740 , NTGD3148N , NTGD4161P , NTGD4167C , NTGS3130N , NTGS3136P , NTGS3433 , NTGS3441 , NTGS3443 .

 
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