2N5912 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N5912

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.5 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 25 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 4 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.04 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Empaquetado / Estuche: TO-99

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2N5912

2N5912 Datasheet (PDF)

1.1. 2n5911 2n5912.pdf Size:58K _vishay

2N5911/5912 Vishay Siliconix Matched N-Channel JFET Pairs PRODUCT SUMMARY Part Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IG Typ (pA) jVGS1 � VGS2j Max (mV) 2N5911 �1 to �5 �25 5 �1 10 2N5912 �1 to �5 �25 5 �1 15 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Two-Chip Design D Minimum Parasitics Ensuring Maximum D Wideband Differential Amps High-Frequency Performance D High Slew Rate D High-Spe

1.2. 2n5911 2n5912.pdf Size:24K _calogic

Dual N-Channel JFET High Frequency Amplifier CORPORATION 2N5911 / 2N5912 FEATURES ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25oC unless otherwise specified) A � Tight Tracking � � Low Insertion Loss Gate-Drain or Gate-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . -25V � � Good Matching Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA � Storage Temperature Range

5.1. 2n591.pdf Size:311K _rca