2N5912 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N5912  📄📄 

Тип транзистора: JFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 4 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.04 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Тип корпуса: TO-99

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 2N5912

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N5912 даташит

 ..1. Size:58K  vishay
 2n5911 2n5912.pdf pdf_icon

2N5912

2N5911/5912 Vishay Siliconix Matched N-Channel JFET Pairs PRODUCT SUMMARY Part Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IG Typ (pA) jVGS1 VGS2j Max (mV) 2N5911 1 to 5 25 5 1 10 2N5912 1 to 5 25 5 1 15 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Two-Chip Design D Minimum Parasitics Ensuring Maximum D Wideband Differential Amps High-Frequency Performance D High

 ..2. Size:24K  calogic
 2n5911 2n5912.pdf pdf_icon

2N5912

Dual N-Channel JFET High Frequency Amplifier CORPORATION 2N5911 / 2N5912 FEATURES ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25oC unless otherwise specified) A Tight Tracking Low Insertion Loss Gate-Drain or Gate-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . -25V Good Matching Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA Storage Te

 9.1. Size:311K  rca
 2n591.pdf pdf_icon

2N5912

 9.2. Size:65K  central
 2n5910 pn5910 2n5771.pdf pdf_icon

2N5912

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2N5903, 2N5904, 2N5905, 2N5906, 2N5907, 2N5908, 2N5909, 2N5911, IRFP250, 2N5949, 2N5950, 2N5951, 2N5952, 2N5953, 2N6449, 2N6450, 2N6451