Справочник MOSFET. 2N5912

 

2N5912 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2N5912
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.04 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Тип корпуса: TO-99
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2N5912 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  vishay
 2n5911 2n5912.pdf pdf_icon

2N5912

2N5911/5912Vishay SiliconixMatched N-Channel JFET PairsPRODUCT SUMMARYPart Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IG Typ (pA) jVGS1 VGS2j Max (mV)2N5911 1 to 5 25 5 1 102N5912 1 to 5 25 5 1 15FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Two-Chip Design D Minimum Parasitics Ensuring Maximum D Wideband Differential AmpsHigh-Frequency PerformanceD High

 ..2. Size:24K  calogic
 2n5911 2n5912.pdf pdf_icon

2N5912

Dual N-Channel JFETHigh Frequency AmplifierCORPORATION2N5911 / 2N5912FEATURES ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T = 25oC unless otherwise specified)A Tight Tracking Low Insertion Loss Gate-Drain or Gate-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . -25V Good Matching Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mAStorage Te

 9.1. Size:311K  rca
 2n591.pdf pdf_icon

2N5912

 9.2. Size:65K  central
 2n5910 pn5910 2n5771.pdf pdf_icon

2N5912

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: FDT459N | SMK0460D | SE7401U | NTP2955 | FTK4828F | PMN70XPE | LR024N

 

 
Back to Top

 


 
.