Справочник MOSFET. 2N5912

 

2N5912 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: 2N5912

Тип транзистора: JFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.5 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.04 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Тип корпуса: TO-99

Аналог (замена) для 2N5912

 

2N5912 Datasheet (PDF)

1.1. 2n5911 2n5912.pdf Size:58K _vishay

2N5912
2N5912

2N5911/5912 Vishay Siliconix Matched N-Channel JFET Pairs PRODUCT SUMMARY Part Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IG Typ (pA) jVGS1 VGS2j Max (mV) 2N5911 1 to 5 25 5 1 10 2N5912 1 to 5 25 5 1 15 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Two-Chip Design D Minimum Parasitics Ensuring Maximum D Wideband Differential Amps High-Frequency Performance D High Slew Rate D High-Spe

1.2. 2n5911 2n5912.pdf Size:24K _calogic

2N5912
2N5912

Dual N-Channel JFET High Frequency Amplifier CORPORATION 2N5911 / 2N5912 FEATURES ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25oC unless otherwise specified) A Tight Tracking Low Insertion Loss Gate-Drain or Gate-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . -25V Good Matching Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA Storage Temperature Range

 5.1. 2n591.pdf Size:311K _rca

2N5912

5.2. 2n5910 pn5910 2n5771.pdf Size:65K _central

2N5912

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

Другие MOSFET... IRFP333 , IRFP340 , IRFP340A , IRFP341 , IRFP342 , IRFP343 , IRFP344 , IRFP350 , 75339P , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC .

 

 
Back to Top