2N5949 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N5949
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.36 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 6 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.018 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Paquete / Cubierta: TO-92-18R
Búsqueda de reemplazo de 2N5949 MOSFET
2N5949 Datasheet (PDF)
2n5949 2n5950 2n5951 2n5952 2n5953.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
Otros transistores... 2N5904 , 2N5905 , 2N5906 , 2N5907 , 2N5908 , 2N5909 , 2N5911 , 2N5912 , STF13NM60N , 2N5950 , 2N5951 , 2N5952 , 2N5953 , 2N6449 , 2N6450 , 2N6451 , 2N6452 .
History: SIHG24N65E
History: SIHG24N65E
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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