2N5949 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 2N5949
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.018 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Тип корпуса: TO-92-18R
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
2N5949 Datasheet (PDF)
2n5949 2n5950 2n5951 2n5952 2n5953.pdf

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: STF8233 | RCX120N20 | HGN195N15SL | STF3HNK90Z | ME4953-G | MSU4N65 | BLF278
History: STF8233 | RCX120N20 | HGN195N15SL | STF3HNK90Z | ME4953-G | MSU4N65 | BLF278



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc1096 | 2sc2058 | a1693 datasheet | bdw94c equivalent | c2389 | c495 transistor | c5242 reemplazo | d667 transistor datasheet