Справочник MOSFET. 2N5949

 

2N5949 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2N5949
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.018 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Тип корпуса: TO-92-18R
 

 Аналог (замена) для 2N5949

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N5949 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:71K  central
 2n5949 2n5950 2n5951 2n5952 2n5953.pdf pdf_icon

2N5949

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 9.1. Size:119K  1
 2n5947.pdf pdf_icon

2N5949

 9.2. Size:63K  1
 2n5944.pdf pdf_icon

2N5949

 9.3. Size:628K  1
 2n5941 2n5942.pdf pdf_icon

2N5949

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2N5904 , 2N5905 , 2N5906 , 2N5907 , 2N5908 , 2N5909 , 2N5911 , 2N5912 , STF13NM60N , 2N5950 , 2N5951 , 2N5952 , 2N5953 , 2N6449 , 2N6450 , 2N6451 , 2N6452 .

History: CTD10N100 | CEP84A4 | BSC123N08NS3G | 2SK2101-01MR | RHP030N03T100 | AM5931P | IRFP9133

 

 
Back to Top

 


 
.