Справочник MOSFET. 2N5949

 

2N5949 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 2N5949
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.018 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Тип корпуса: TO-92-18R

 Аналог (замена) для 2N5949

 

 

2N5949 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:71K  central
 2n5949 2n5950 2n5951 2n5952 2n5953.pdf

2N5949

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 9.1. Size:119K  1
 2n5947.pdf

2N5949 2N5949

 9.2. Size:63K  1
 2n5944.pdf

2N5949 2N5949

 9.3. Size:628K  1
 2n5941 2n5942.pdf

2N5949 2N5949

 9.4. Size:208K  1
 2n5944 2n5945 2n5946.pdf

2N5949 2N5949

 9.5. Size:13K  advanced-semi
 2n5945.pdf

2N5949

2N5945 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI 2N5945 is Designed for FM Land Mobile Applications in the PACKAGE STYLE .280 4L STUD 400 to 960 MHz. A 45FEATURES:C Common Emitter B E E PG = 9.0 dB at 2.0 W/470 MHz B Omnigold Metalization System C D JE IMAXIMUM RATINGS FGIC 0.8 A H#8-32 UNCKVCBO 36 V MINIMUM

Другие MOSFET... 2N5904 , 2N5905 , 2N5906 , 2N5907 , 2N5908 , 2N5909 , 2N5911 , 2N5912 , 75N75 , 2N5950 , 2N5951 , 2N5952 , 2N5953 , 2N6449 , 2N6450 , 2N6451 , 2N6452 .

 

 
Back to Top