2N5949 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N5949  📄📄 

Тип транзистора: JFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 6 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.018 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Тип корпуса: TO-92-18R

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 2N5949

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N5949 даташит

 ..1. Size:71K  central
 2n5949 2n5950 2n5951 2n5952 2n5953.pdf pdf_icon

2N5949

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 9.1. Size:119K  1
 2n5947.pdf pdf_icon

2N5949

 9.2. Size:63K  1
 2n5944.pdf pdf_icon

2N5949

 9.3. Size:628K  1
 2n5941 2n5942.pdf pdf_icon

2N5949

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2N5904, 2N5905, 2N5906, 2N5907, 2N5908, 2N5909, 2N5911, 2N5912, IRFP250, 2N5950, 2N5951, 2N5952, 2N5953, 2N6449, 2N6450, 2N6451, 2N6452