Справочник MOSFET. 2N5949

 

2N5949 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2N5949
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.018 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Тип корпуса: TO-92-18R
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2N5949 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:71K  central
2n5949 2n5950 2n5951 2n5952 2n5953.pdfpdf_icon

2N5949

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 9.1. Size:119K  1
2n5947.pdfpdf_icon

2N5949

 9.2. Size:63K  1
2n5944.pdfpdf_icon

2N5949

 9.3. Size:628K  1
2n5941 2n5942.pdfpdf_icon

2N5949

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: STF8233 | RCX120N20 | HGN195N15SL | STF3HNK90Z | ME4953-G | MSU4N65 | BLF278

 

 
Back to Top

 


 
.