2N6449 Todos los transistores

 

2N6449 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N6449
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.01 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Paquete / Cubierta: TO-39
 

 Búsqueda de reemplazo de 2N6449 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2N6449 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:91K  interfet
 2n6449 2n6450.pdf pdf_icon

2N6449

Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-24B-24 01/992N6449, 2N6450N-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C High Voltage2N6449 2N6450Reverse Gate Source Voltage 300 V 200 VReverse Gate Drain Voltage 300 V 200 VContinuous Forward Gate Current 10 mA 10 mAContinuous Device Power Dissipation 800 mW 800 mWPower Derati

 9.1. Size:298K  rca
 2n583 2n584 2n640 2n641 2n642 2n643 2n644 2n645 2n656 2n696.pdf pdf_icon

2N6449

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