2N6449 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N6449

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.8 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 300 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 15 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.01 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Empaquetado / Estuche: TO-39

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2N6449

2N6449 Datasheet (PDF)

1.1. 2n6449 2n6450.pdf Size:91K _interfet

Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-24 B-24 01/99 2N6449, 2N6450 N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor Absolute maximum ratings at TA = 25?C ? High Voltage 2N6449 2N6450 Reverse Gate Source Voltage � 300 V � 200 V Reverse Gate Drain Voltage � 300 V � 200 V Continuous Forward Gate Current 10 mA 10 mA Continuous Device Power Dissipation 800 mW 800 mW Power Derating 6.4 mW/�C

5.1. 2n583 2n584 2n640 2n641 2n642 2n643 2n644 2n645 2n656 2n696.pdf Size:298K _rca