2N6449 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N6449  📄📄 

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 300 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 15 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.01 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Encapsulados: TO-39

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 Búsqueda de reemplazo de 2N6449 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

2N6449 datasheet

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2N6449

Databook.fxp 1/13/99 2 09 PM Page B-24 B-24 01/99 2N6449, 2N6450 N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor Absolute maximum ratings at TA = 25 C High Voltage 2N6449 2N6450 Reverse Gate Source Voltage 300 V 200 V Reverse Gate Drain Voltage 300 V 200 V Continuous Forward Gate Current 10 mA 10 mA Continuous Device Power Dissipation 800 mW 800 mW Power Derati

Otros transistores... 2N5909, 2N5911, 2N5912, 2N5949, 2N5950, 2N5951, 2N5952, 2N5953, 18N50, 2N6450, 2N6451, 2N6452, 2N6453, 2N6454, 2N6804, 2N6806, 2N7091