2N6449 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N6449
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.01 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Paquete / Cubierta: TO-39
Búsqueda de reemplazo de 2N6449 MOSFET
2N6449 Datasheet (PDF)
2n6449 2n6450.pdf
Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-24B-24 01/992N6449, 2N6450N-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C High Voltage2N6449 2N6450Reverse Gate Source Voltage 300 V 200 VReverse Gate Drain Voltage 300 V 200 VContinuous Forward Gate Current 10 mA 10 mAContinuous Device Power Dissipation 800 mW 800 mWPower Derati
Otros transistores... 2N5909 , 2N5911 , 2N5912 , 2N5949 , 2N5950 , 2N5951 , 2N5952 , 2N5953 , SKD502T , 2N6450 , 2N6451 , 2N6452 , 2N6453 , 2N6454 , 2N6804 , 2N6806 , 2N7091 .
History: HFP3N80 | TWE3139K | BSC100N03LSG | NTTFS5C673NL | HSS2307A | NVGS5120P
History: HFP3N80 | TWE3139K | BSC100N03LSG | NTTFS5C673NL | HSS2307A | NVGS5120P
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0604AGQ | JMSL0604AG | JMSL0603PG | JMSL0603BGQ | JMSL0603BG | JMSL0603AK | JMSL0602PG | JMSL0602MG | JMSL0602AGQ | JMSL0602AG | JMSL0601TG | JMSL0601BGQ | JMSL0601BG | JMSL0601AGQ | JMSL0601AG | JMTP330N06D
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