Справочник MOSFET. 2N6449

 

2N6449 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2N6449
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.01 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 200 °C
   Тип корпуса: TO-39
 

 Аналог (замена) для 2N6449

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N6449 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:91K  interfet
 2n6449 2n6450.pdf pdf_icon

2N6449

Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-24B-24 01/992N6449, 2N6450N-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C High Voltage2N6449 2N6450Reverse Gate Source Voltage 300 V 200 VReverse Gate Drain Voltage 300 V 200 VContinuous Forward Gate Current 10 mA 10 mAContinuous Device Power Dissipation 800 mW 800 mWPower Derati

 9.1. Size:298K  rca
 2n583 2n584 2n640 2n641 2n642 2n643 2n644 2n645 2n656 2n696.pdf pdf_icon

2N6449

Другие MOSFET... 2N5909 , 2N5911 , 2N5912 , 2N5949 , 2N5950 , 2N5951 , 2N5952 , 2N5953 , SKD502T , 2N6450 , 2N6451 , 2N6452 , 2N6453 , 2N6454 , 2N6804 , 2N6806 , 2N7091 .

History: ME3587-G | AOTS26108 | FQP13N06 | SFB021N80C3 | VN2210N3 | 2SK1896 | IXTH88N15

 

 
Back to Top

 


 
.