2N6449 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N6449  📄📄 

Тип транзистора: JFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.01 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 200 °C

Электрические характеристики

|VGSoff|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 2 V

Тип корпуса: TO-39

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 2N6449

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N6449 даташит

 ..1. Size:91K  interfet
 2n6449 2n6450.pdf pdf_icon

2N6449

Databook.fxp 1/13/99 2 09 PM Page B-24 B-24 01/99 2N6449, 2N6450 N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor Absolute maximum ratings at TA = 25 C High Voltage 2N6449 2N6450 Reverse Gate Source Voltage 300 V 200 V Reverse Gate Drain Voltage 300 V 200 V Continuous Forward Gate Current 10 mA 10 mA Continuous Device Power Dissipation 800 mW 800 mW Power Derati

 9.1. Size:298K  rca
 2n583 2n584 2n640 2n641 2n642 2n643 2n644 2n645 2n656 2n696.pdf pdf_icon

2N6449

Другие IGBT... 2N5909, 2N5911, 2N5912, 2N5949, 2N5950, 2N5951, 2N5952, 2N5953, RFP50N06, 2N6450, 2N6451, 2N6452, 2N6453, 2N6454, 2N6804, 2N6806, 2N7091