2N6451 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N6451
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.36 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 3.5 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.02 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Voltaje de corte de la puerta |Vgs(off)|: 0.5 V
Paquete / Cubierta: TO-72
Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2N6451
2N6451 Datasheet (PDF)
2n6451 2n6452.pdf
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Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-2501/99 B-252N6451, 2N6452N-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C Audio Amplifiers2N6451 2N6452 Low-Noise, High GainReverse Gate Source Voltage 20 V 25 VAmplifiersReverse Gate Drain Voltage 20 V 25 VContinuous Forward Gate Current 10 mA 10 mA Low-Noise Preamplifiers
2n6449 2n6450.pdf
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Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-24B-24 01/992N6449, 2N6450N-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C High Voltage2N6449 2N6450Reverse Gate Source Voltage 300 V 200 VReverse Gate Drain Voltage 300 V 200 VContinuous Forward Gate Current 10 mA 10 mAContinuous Device Power Dissipation 800 mW 800 mWPower Derati
2n6453 2n6454.pdf
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Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-26B-26 01/992N6453, 2N6454N-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C Audio Amplifiers2N6453 2N6454 Low-Noise, High GainReverse Gate Source Voltage 20 V 25 VAmplifiersReverse Gate Drain Voltage 20 V 25 VContinuous Forward Gate Current 10 mA 10 mA Low-Noise Preamplifiers
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