2N6451 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2N6451
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.36 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 3.5 V
Минимальное напряжение отсечки |Vgs(off)|: 0.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.02 A
Тип корпуса: TO-72
2N6451 Datasheet (PDF)
2n6451 2n6452.pdf
Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-2501/99 B-252N6451, 2N6452N-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C Audio Amplifiers2N6451 2N6452 Low-Noise, High GainReverse Gate Source Voltage 20 V 25 VAmplifiersReverse Gate Drain Voltage 20 V 25 VContinuous Forward Gate Current 10 mA 10 mA Low-Noise Preamplifiers
2n6449 2n6450.pdf
Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-24B-24 01/992N6449, 2N6450N-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C High Voltage2N6449 2N6450Reverse Gate Source Voltage 300 V 200 VReverse Gate Drain Voltage 300 V 200 VContinuous Forward Gate Current 10 mA 10 mAContinuous Device Power Dissipation 800 mW 800 mWPower Derati
2n6453 2n6454.pdf
Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-26B-26 01/992N6453, 2N6454N-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C Audio Amplifiers2N6453 2N6454 Low-Noise, High GainReverse Gate Source Voltage 20 V 25 VAmplifiersReverse Gate Drain Voltage 20 V 25 VContinuous Forward Gate Current 10 mA 10 mA Low-Noise Preamplifiers
Другие MOSFET... 2N5912 , 2N5949 , 2N5950 , 2N5951 , 2N5952 , 2N5953 , 2N6449 , 2N6450 , 10N65 , 2N6452 , 2N6453 , 2N6454 , 2N6804 , 2N6806 , 2N7091 , 2N7288D , 2N7288R .
