FRM430D Todos los transistores

 

FRM430D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FRM430D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 66 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO204AA
 

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FRM430D Datasheet (PDF)

 8.1. Size:47K  intersil
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FRM430D

FRM430D, FRM430R,FRM430H3A, 500V, 2.50 Ohm, Rad Hard,June 1998 N-Channel Power MOSFETsFeatures Package 3A, 500V, RDS(on) = 2.50TO-204AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

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History: IRFS640A | 2N6797LCC4 | IXTP44N10T | SVG108R5NAMQ | WFP8N60 | SI7120ADN | SI7121DN

 

 
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