FRM430D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FRM430D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 66 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO204AA

Аналог (замена) для FRM430D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FRM430D даташит

 8.1. Size:47K  intersil
 frm430.pdf pdf_icon

FRM430D

FRM430D, FRM430R, FRM430H 3A, 500V, 2.50 Ohm, Rad Hard, June 1998 N-Channel Power MOSFETs Features Package 3A, 500V, RDS(on) = 2.50 TO-204AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

Другие IGBT... FRM234H, FRM234R, FRM240D, FRM240H, FRM240R, FRM244D, FRM244H, FRM244R, IRF3710, FRM430H, FRM430R, FRM440D, FRM440H, FRM440R, FRM450D, FRM450H, FRM450R