IPS0151S Todos los transistores

 

IPS0151S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPS0151S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 47 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 7 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

 Búsqueda de reemplazo de IPS0151S MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IPS0151S Datasheet (PDF)

 7.1. Size:163K  international rectifier
 ips0151.pdf pdf_icon

IPS0151S

Data Sheet No.PD60144-K( )IPS0151 SFULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCHFeatures Product Summary Over temperature shutdown Over current shutdownRds(on) 25m (max) Active clamp Low current & logic level input E.S.D protectionV clamp 50VIshutdown 35ADescriptionTon/Toff 1.5sThe IPS0151/IPS0151S are fully protected three terminalSMART POWER MOSFETs t

Otros transistores... BST100 , BST70A , BUZ326 , FJN598J , FJX597JB , FS10KM-10 , FS3KM-10 , PS0151 , AON7403 , ISL9N303AP3 , ISL9N303AS3ST , ISL9N303AS3 , J105 , J106 , J107 , JFTJ105 , J174 .

History: NP80N03DLE | IRF7105PBF-1 | WTK9971 | IRF8010LPBF

 

 
Back to Top

 


 
.