IPS0151S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPS0151S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 47 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 7 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
- Selección de transistores por parámetros
IPS0151S Datasheet (PDF)
ips0151.pdf

Data Sheet No.PD60144-K( )IPS0151 SFULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCHFeatures Product Summary Over temperature shutdown Over current shutdownRds(on) 25m (max) Active clamp Low current & logic level input E.S.D protectionV clamp 50VIshutdown 35ADescriptionTon/Toff 1.5sThe IPS0151/IPS0151S are fully protected three terminalSMART POWER MOSFETs t
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: ISP25DP06NM | STP8NS25FP | KP746B1 | AP4407GS-HF | TMPF11N50SG | IPW65R280E6 | IPD65R420CFDA
History: ISP25DP06NM | STP8NS25FP | KP746B1 | AP4407GS-HF | TMPF11N50SG | IPW65R280E6 | IPD65R420CFDA



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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