IPS0151S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IPS0151S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 47 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 7 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPS0151S

IPS0151S Datasheet (PDF)

7.1. Size:163K international rectifier
ips0151.pdf

Data Sheet No.PD60144-K( )IPS0151 SFULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCHFeatures Product Summary Over temperature shutdown Over current shutdownRds(on) 25m (max) Active clamp Low current & logic level input E.S.D protectionV clamp 50VIshutdown 35ADescriptionTon/Toff 1.5sThe IPS0151/IPS0151S are fully protected three terminalSMART POWER MOSFETs t

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: