IPS0151S Todos los transistores

 

IPS0151S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPS0151S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 47 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 7 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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IPS0151S datasheet

 7.1. Size:163K  international rectifier
 ips0151.pdf pdf_icon

IPS0151S

Data Sheet No.PD60144-K ( ) IPS0151 S FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH Features Product Summary Over temperature shutdown Over current shutdown Rds(on) 25m (max) Active clamp Low current & logic level input E.S.D protection V clamp 50V Ishutdown 35A Description Ton/Toff 1.5 s The IPS0151/IPS0151S are fully protected three terminal SMART POWER MOSFETs t

Otros transistores... BST100 , BST70A , BUZ326 , FJN598J , FJX597JB , FS10KM-10 , FS3KM-10 , PS0151 , IRF9640 , ISL9N303AP3 , ISL9N303AS3ST , ISL9N303AS3 , J105 , J106 , J107 , JFTJ105 , J174 .

 

 

 

 

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