Справочник MOSFET. IPS0151S

 

IPS0151S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPS0151S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 47 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 7 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для IPS0151S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPS0151S Datasheet (PDF)

 7.1. Size:163K  international rectifier
 ips0151.pdf pdf_icon

IPS0151S

Data Sheet No.PD60144-K( )IPS0151 SFULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCHFeatures Product Summary Over temperature shutdown Over current shutdownRds(on) 25m (max) Active clamp Low current & logic level input E.S.D protectionV clamp 50VIshutdown 35ADescriptionTon/Toff 1.5sThe IPS0151/IPS0151S are fully protected three terminalSMART POWER MOSFETs t

Другие MOSFET... BST100 , BST70A , BUZ326 , FJN598J , FJX597JB , FS10KM-10 , FS3KM-10 , PS0151 , AON7403 , ISL9N303AP3 , ISL9N303AS3ST , ISL9N303AS3 , J105 , J106 , J107 , JFTJ105 , J174 .

History: FDME430NT | IRFS31N20DP | RUH120N90R

 

 
Back to Top

 


 
.