IPS0151S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IPS0151S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 47 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 7 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 200 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IPS0151S Datasheet (PDF)
ips0151.pdf

Data Sheet No.PD60144-K( )IPS0151 SFULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCHFeatures Product Summary Over temperature shutdown Over current shutdownRds(on) 25m (max) Active clamp Low current & logic level input E.S.D protectionV clamp 50VIshutdown 35ADescriptionTon/Toff 1.5sThe IPS0151/IPS0151S are fully protected three terminalSMART POWER MOSFETs t
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: SQJ474EP | STP80NE03L-06
History: SQJ474EP | STP80NE03L-06



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
k2837 datasheet | k389 transistor | mje15032g equivalent | nsd134 | 60r190p datasheet | cs30n20 datasheet | go42n10 | 2sa970 datasheet