IPS0151S - описание и поиск аналогов

 

IPS0151S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPS0151S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 47 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 7 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для IPS0151S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPS0151S даташит

 7.1. Size:163K  international rectifier
ips0151.pdfpdf_icon

IPS0151S

Data Sheet No.PD60144-K ( ) IPS0151 S FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH Features Product Summary Over temperature shutdown Over current shutdown Rds(on) 25m (max) Active clamp Low current & logic level input E.S.D protection V clamp 50V Ishutdown 35A Description Ton/Toff 1.5 s The IPS0151/IPS0151S are fully protected three terminal SMART POWER MOSFETs t

Другие MOSFET... BST100 , BST70A , BUZ326 , FJN598J , FJX597JB , FS10KM-10 , FS3KM-10 , PS0151 , IRF9640 , ISL9N303AP3 , ISL9N303AS3ST , ISL9N303AS3 , J105 , J106 , J107 , JFTJ105 , J174 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.