FRM430H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FRM430H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 66 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm

Encapsulados: TO204AA

 Búsqueda de reemplazo de FRM430H MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

FRM430H datasheet

 8.1. Size:47K  intersil
 frm430.pdf pdf_icon

FRM430H

FRM430D, FRM430R, FRM430H 3A, 500V, 2.50 Ohm, Rad Hard, June 1998 N-Channel Power MOSFETs Features Package 3A, 500V, RDS(on) = 2.50 TO-204AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

Otros transistores... FRM234R, FRM240D, FRM240H, FRM240R, FRM244D, FRM244H, FRM244R, FRM430D, 10N60, FRM430R, FRM440D, FRM440H, FRM440R, FRM450D, FRM450H, FRM450R, FRM9130D