Справочник MOSFET. FRM430H

 

FRM430H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FRM430H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 66 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO204AA
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FRM430H Datasheet (PDF)

 8.1. Size:47K  intersil
 frm430.pdf pdf_icon

FRM430H

FRM430D, FRM430R,FRM430H3A, 500V, 2.50 Ohm, Rad Hard,June 1998 N-Channel Power MOSFETsFeatures Package 3A, 500V, RDS(on) = 2.50TO-204AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

Другие MOSFET... FRM234R , FRM240D , FRM240H , FRM240R , FRM244D , FRM244H , FRM244R , FRM430D , IRFB4227 , FRM430R , FRM440D , FRM440H , FRM440R , FRM450D , FRM450H , FRM450R , FRM9130D .

History: NCEP02T10D | AP10N012P | 2N6969JANTX | WMB90N02TS | 2SK2900-01 | CEM3317 | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.