KSK30 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KSK30
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 5 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.0065 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Paquete / Cubierta: TO-92
Búsqueda de reemplazo de KSK30 MOSFET
KSK30 Datasheet (PDF)
ksk30.pdf

KSK30Low Noise PRE-AMP. Use High Input Impedance: IGSS=1nA (MAX) Low Noise: NF=0.5dB (TYP) High Voltage: VGDS= -50VTO-9211. Source 2. Gate 3. DrainSilicon N-channel Junction FetAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVGDS Gate-Drain Voltage -50 VIG Gate-Current 10 mAPD Collector Dissipation 100 mWTJ Junction Tem
Otros transistores... J210 , MMBFJ210 , MMBFJ211 , MMBFJ212 , J270 , J271 , J304 , J305 , IRF630 , KSK595H , KSK596 , LS4117 , LS4118 , LS4119 , MMBF4091 , MMBF4092 , MMBF4093 .
History: OSG55R290AF | IRLL024ZPBF
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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