Справочник MOSFET. KSK30

 

KSK30 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KSK30
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 5 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 0.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.0065 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   Тип корпуса: TO-92

 Аналог (замена) для KSK30

 

 

KSK30 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:78K  fairchild semi
 ksk30.pdf

KSK30 KSK30

KSK30Low Noise PRE-AMP. Use High Input Impedance: IGSS=1nA (MAX) Low Noise: NF=0.5dB (TYP) High Voltage: VGDS= -50VTO-9211. Source 2. Gate 3. DrainSilicon N-channel Junction FetAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVGDS Gate-Drain Voltage -50 VIG Gate-Current 10 mAPD Collector Dissipation 100 mWTJ Junction Tem

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top