Справочник MOSFET. KSK30

 

KSK30 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KSK30
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.0065 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   Тип корпуса: TO-92
 

 Аналог (замена) для KSK30

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KSK30 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:78K  fairchild semi
 ksk30.pdf pdf_icon

KSK30

KSK30Low Noise PRE-AMP. Use High Input Impedance: IGSS=1nA (MAX) Low Noise: NF=0.5dB (TYP) High Voltage: VGDS= -50VTO-9211. Source 2. Gate 3. DrainSilicon N-channel Junction FetAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVGDS Gate-Drain Voltage -50 VIG Gate-Current 10 mAPD Collector Dissipation 100 mWTJ Junction Tem

Другие MOSFET... J210 , MMBFJ210 , MMBFJ211 , MMBFJ212 , J270 , J271 , J304 , J305 , IRF630 , KSK595H , KSK596 , LS4117 , LS4118 , LS4119 , MMBF4091 , MMBF4092 , MMBF4093 .

History: TK70J04J3 | SI7463DP

 

 
Back to Top

 


 
.