KSK595H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KSK595H
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 1.5 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de KSK595H MOSFET
KSK595H datasheet
ksk595h.pdf
KSK595H Capacitor Microphone Applications Especially Suited for use in Audio, Telephone Capacitor Microphones 3 Excellent Voltage Characteristic Excellent Transient Characteristic 2 SOT-23 1 1.Drain 2. Source 3. Gate Si N-channel Junction FET Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VGDO Gate-Drain Voltage -20 V IG Gate
ksk596.pdf
KSK596 Capacitor Microphone Applications Especially Suited for use in Audio, Telephone Capacitor Microphones Excellent Voltage Characteristic Excellent Transient Characteristic TO-92S 1 1.Source 2. Gate 3. Drain Si N-channel Junction FET Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VGDO Gate-Drain Voltage -20 V IG Gate Current
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Liste
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