KSK595H Todos los transistores

 

KSK595H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSK595H
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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KSK595H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:64K  fairchild semi
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KSK595H

KSK595HCapacitor Microphone Applications Especially Suited for use in Audio, Telephone Capacitor Microphones3 Excellent Voltage Characteristic Excellent Transient Characteristic2SOT-231 1.Drain 2. Source 3. GateSi N-channel Junction FETAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVGDO Gate-Drain Voltage -20 VIG Gate

 9.1. Size:46K  fairchild semi
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KSK595H

KSK596Capacitor Microphone Applications Especially Suited for use in Audio, Telephone Capacitor Microphones Excellent Voltage Characteristic Excellent Transient CharacteristicTO-92S11.Source 2. Gate 3. DrainSi N-channel Junction FETAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVGDO Gate-Drain Voltage -20 VIG Gate Current

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