KSK595H datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSK595H  📄📄 

Тип транзистора: JFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 1.5 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Тип корпуса: SOT-23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для KSK595H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KSK595H даташит

 ..1. Size:64K  fairchild semi
 ksk595h.pdf pdf_icon

KSK595H

KSK595H Capacitor Microphone Applications Especially Suited for use in Audio, Telephone Capacitor Microphones 3 Excellent Voltage Characteristic Excellent Transient Characteristic 2 SOT-23 1 1.Drain 2. Source 3. Gate Si N-channel Junction FET Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VGDO Gate-Drain Voltage -20 V IG Gate

 9.1. Size:46K  fairchild semi
 ksk596.pdf pdf_icon

KSK595H

KSK596 Capacitor Microphone Applications Especially Suited for use in Audio, Telephone Capacitor Microphones Excellent Voltage Characteristic Excellent Transient Characteristic TO-92S 1 1.Source 2. Gate 3. Drain Si N-channel Junction FET Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VGDO Gate-Drain Voltage -20 V IG Gate Current

Другие IGBT... MMBFJ210, MMBFJ211, MMBFJ212, J270, J271, J304, J305, KSK30, IRFZ44, KSK596, LS4117, LS4118, LS4119, MMBF4091, MMBF4092, MMBF4093, PN4091