KSK595H - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KSK595H
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 1.5 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для KSK595H
KSK595H Datasheet (PDF)
ksk595h.pdf

KSK595HCapacitor Microphone Applications Especially Suited for use in Audio, Telephone Capacitor Microphones3 Excellent Voltage Characteristic Excellent Transient Characteristic2SOT-231 1.Drain 2. Source 3. GateSi N-channel Junction FETAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVGDO Gate-Drain Voltage -20 VIG Gate
ksk596.pdf

KSK596Capacitor Microphone Applications Especially Suited for use in Audio, Telephone Capacitor Microphones Excellent Voltage Characteristic Excellent Transient CharacteristicTO-92S11.Source 2. Gate 3. DrainSi N-channel Junction FETAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVGDO Gate-Drain Voltage -20 VIG Gate Current
Другие MOSFET... MMBFJ210 , MMBFJ211 , MMBFJ212 , J270 , J271 , J304 , J305 , KSK30 , 10N60 , KSK596 , LS4117 , LS4118 , LS4119 , MMBF4091 , MMBF4092 , MMBF4093 , PN4091 .
History: FMD47-06KC5
History: FMD47-06KC5



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ10N65P | APJ10N65T | APJ10N65F | AP65R950 | APJ10N65D | APG80N10T | APG80N10P | APG80N10NF | APG60N10T | APG60N10P | AP100P02NF | AP100N08D | AP100N04NF | AP100N04D | AP100N03Y | AP100N03T
Popular searches
k3797 mosfet | bs170 datasheet | tip41c | irfp460 | irfz44n mosfet | lm317t datasheet | irf540 | bc337