TIS75 Todos los transistores

 

TIS75 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TIS75
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 4 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.08 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 60 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-92
 

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TIS75 Datasheet (PDF)

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TIS75

TIS75N-Channel General Purpose Amplifier This device is designed for low level analog switching, sample and hold circuits and chopper stabilized amplifiers. Sourced from process 54.TO-9211. Gate 2. Source 3. DrainAbsolute Maximum Ratings * Ta=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVDG Drain-Gate Voltage 30 VVGS Gate-Source Voltage -30 VIGF Forward

Otros transistores... PN4302 , PN4303 , PN4861 , PN5432 , PN5433 , PN5434 , TIS73 , TIS74 , 4N60 , U1898 , J308 , SST308 , SST309 , SST310 , U309 , U310 , VN0610L .

History: FPF1C2P5BF07A | BRI6N70 | FDMS3622S | PN5434 | G2005K | FDMS86520 | BRM501D

 

 
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