TIS75 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TIS75
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 4 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.08 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 60 Ohm
Encapsulados: TO-92
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TIS75 datasheet
tis75.pdf
TIS75 N-Channel General Purpose Amplifier This device is designed for low level analog switching, sample and hold circuits and chopper stabilized amplifiers. Sourced from process 54. TO-92 1 1. Gate 2. Source 3. Drain Absolute Maximum Ratings * Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VDG Drain-Gate Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage -30 V IGF Forward
Otros transistores... PN4302 , PN4303 , PN4861 , PN5432 , PN5433 , PN5434 , TIS73 , TIS74 , AO3407 , U1898 , J308 , SST308 , SST309 , SST310 , U309 , U310 , VN0610L .
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Liste
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