Справочник MOSFET. TIS75

 

TIS75 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TIS75
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.08 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 60 Ohm
   Тип корпуса: TO-92
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TIS75 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:27K  fairchild semi
 tis75.pdf pdf_icon

TIS75

TIS75N-Channel General Purpose Amplifier This device is designed for low level analog switching, sample and hold circuits and chopper stabilized amplifiers. Sourced from process 54.TO-9211. Gate 2. Source 3. DrainAbsolute Maximum Ratings * Ta=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVDG Drain-Gate Voltage 30 VVGS Gate-Source Voltage -30 VIGF Forward

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: AOT296L | IRC533A | MSU4N65 | BLF278 | RCX120N20 | STF8233 | 2N5949

 

 
Back to Top

 


 
.