TIS75 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TIS75
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.35 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 4 V
Минимальное напряжение отсечки |Vgs(off)|: 0.8 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.08 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 10 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 60 Ohm
Тип корпуса: TO-92
TIS75 Datasheet (PDF)
..1. Size:27K fairchild semi
tis75.pdf
tis75.pdf
TIS75N-Channel General Purpose Amplifier This device is designed for low level analog switching, sample and hold circuits and chopper stabilized amplifiers. Sourced from process 54.TO-9211. Gate 2. Source 3. DrainAbsolute Maximum Ratings * Ta=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVDG Drain-Gate Voltage 30 VVGS Gate-Source Voltage -30 VIGF Forward
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
