Справочник MOSFET. TIS75

 

TIS75 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TIS75
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.08 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 60 Ohm
   Тип корпуса: TO-92
 

 Аналог (замена) для TIS75

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TIS75 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:27K  fairchild semi
 tis75.pdf pdf_icon

TIS75

TIS75N-Channel General Purpose Amplifier This device is designed for low level analog switching, sample and hold circuits and chopper stabilized amplifiers. Sourced from process 54.TO-9211. Gate 2. Source 3. DrainAbsolute Maximum Ratings * Ta=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVDG Drain-Gate Voltage 30 VVGS Gate-Source Voltage -30 VIGF Forward

Другие MOSFET... PN4302 , PN4303 , PN4861 , PN5432 , PN5433 , PN5434 , TIS73 , TIS74 , 7N60 , U1898 , J308 , SST308 , SST309 , SST310 , U309 , U310 , VN0610L .

History: SI3469DV | SUP75N08-10

 

 
Back to Top

 


 
.