Справочник MOSFET. TIS75

 

TIS75 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TIS75
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.08 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 60 Ohm
   Тип корпуса: TO-92

 Аналог (замена) для TIS75

 

 

TIS75 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:27K  fairchild semi
 tis75.pdf

TIS75 TIS75

TIS75N-Channel General Purpose Amplifier This device is designed for low level analog switching, sample and hold circuits and chopper stabilized amplifiers. Sourced from process 54.TO-9211. Gate 2. Source 3. DrainAbsolute Maximum Ratings * Ta=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVDG Drain-Gate Voltage 30 VVGS Gate-Source Voltage -30 VIGF Forward

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top