TIS75 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: TIS75
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.08 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 60 Ohm
Тип корпуса: TO-92
Аналог (замена) для TIS75
TIS75 Datasheet (PDF)
tis75.pdf

TIS75N-Channel General Purpose Amplifier This device is designed for low level analog switching, sample and hold circuits and chopper stabilized amplifiers. Sourced from process 54.TO-9211. Gate 2. Source 3. DrainAbsolute Maximum Ratings * Ta=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVDG Drain-Gate Voltage 30 VVGS Gate-Source Voltage -30 VIGF Forward
Другие MOSFET... PN4302 , PN4303 , PN4861 , PN5432 , PN5433 , PN5434 , TIS73 , TIS74 , 4N60 , U1898 , J308 , SST308 , SST309 , SST310 , U309 , U310 , VN0610L .
History: FCD1300N80Z | FDMS86520 | PN4861 | FPF1C2P5BF07A | H01N60I | PN5434 | G2005K
History: FCD1300N80Z | FDMS86520 | PN4861 | FPF1C2P5BF07A | H01N60I | PN5434 | G2005K



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP2320MI | AP2313MI | AP2312MI | AP2312AI | AP2311MI | AP2311AI | AP2307MI | AP2307AI | AP2305MI | AP2305BI | AP2305AI | AP2302CI | AP2301BI | AP2300MI | AP2300AI | AP15P06D
Popular searches
2n2222a transistor | irfp250 | irf640n datasheet | irf540 datasheet | irf530 | 2n3565 | irf530n | pn2222a datasheet