SMN18T50FD Todos los transistores

 

SMN18T50FD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SMN18T50FD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 375 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 355 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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SMN18T50FD datasheet

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SMN18T50FD

SMN18T50FD Advanced N-Ch Power MOSFET SWITCHING REGULATOR APPLICATION Features Drain-Source breakdown voltage BV = 500V DSS Low gate charge Q =65nC (Typ.) g Low drain-source On resistance R =0.21 (Typ.) DS(on) 100% avalanche tested RoHS compliant device G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package SMN18T50FD SMN18T50 TO

Otros transistores... SMN0250F , SMN03T80F , SMN03T80IS , SMN0470F , SMN04L20D , SMN04L20IS , SMN0665F , SMN09L20D , IRF1407 , SMNY2Z30 , STK0170 , STK0380D , STK0380F , STK730F , STK830D , STK830F , STK830P .

History: 2SK1636S | WM03DN85A | NTMD6N04R2

 

 

 

 

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