SMN18T50FD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SMN18T50FD
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 48 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 18 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 65 nC
Tiempo de subida (tr): 375 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 355 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.26 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
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SMN18T50FD Datasheet (PDF)
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SMN18T50FDAdvanced N-Ch Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATION Features Drain-Source breakdown voltage: BVDSS = 500V Low gate charge: Qg=65nC (Typ.) Low drain-source On resistance: RDS(on)=0.21 (Typ.) 100% avalanche tested RoHS compliant device Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SMN18T50FD SMN18T50 TO-220F-3L
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
