SMN18T50FD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SMN18T50FD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 375 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 355 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для SMN18T50FD
SMN18T50FD Datasheet (PDF)
smn18t50fd.pdf

SMN18T50FD Advanced N-Ch Power MOSFET SWITCHING REGULATOR APPLICATION Features Drain-Source breakdown voltage: BV = 500V DSS Low gate charge: Q =65nC (Typ.) g Low drain-source On resistance: R =0.21 (Typ.) DS(on) 100% avalanche tested RoHS compliant device G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package SMN18T50FD SMN18T50 TO
Другие MOSFET... SMN0250F , SMN03T80F , SMN03T80IS , SMN0470F , SMN04L20D , SMN04L20IS , SMN0665F , SMN09L20D , P0903BDG , SMNY2Z30 , STK0170 , STK0380D , STK0380F , STK730F , STK830D , STK830F , STK830P .
History: IRLML0100TRPBF | CSN64N12 | SFP350N100C2 | CS3N50B4 | FDC602PF095 | FDU6N25
History: IRLML0100TRPBF | CSN64N12 | SFP350N100C2 | CS3N50B4 | FDC602PF095 | FDU6N25



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor | 2n3440 | bc550c | 2n3904 transistor datasheet | p75nf75 | d880 transistor