SMN18T50FD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SMN18T50FD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 48 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 375 ns
Выходная емкость (Cd): 355 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.26 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для SMN18T50FD
SMN18T50FD Datasheet (PDF)
..1. Size:342K auk
smn18t50fd.pdf
smn18t50fd.pdf
SMN18T50FDAdvanced N-Ch Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATION Features Drain-Source breakdown voltage: BVDSS = 500V Low gate charge: Qg=65nC (Typ.) Low drain-source On resistance: RDS(on)=0.21 (Typ.) 100% avalanche tested RoHS compliant device Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SMN18T50FD SMN18T50 TO-220F-3L
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
