SMNY2Z30 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SMNY2Z30
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.6 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 300 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
Encapsulados: TO-92
Búsqueda de reemplazo de SMNY2Z30 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
SMNY2Z30 datasheet
smny2z30.pdf
SMNY2Z30 Advanced N-Ch Power MOSFET SWITCHING REGULATOR APPLICATION Features High voltage BVDDS=300V (Min.) Low gate charge Qg=2.9nC (Typ.) Low drain-source On resistance RDS(on)=8 (Max.) Built-in protection zener diode RoHS compliant device Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-92 SMNY2Z30 SMNY2Z30 TO-92 Marking Informatio
Otros transistores... SMN03T80F , SMN03T80IS , SMN0470F , SMN04L20D , SMN04L20IS , SMN0665F , SMN09L20D , SMN18T50FD , 2SK3568 , STK0170 , STK0380D , STK0380F , STK730F , STK830D , STK830F , STK830P , SUN0260D .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
mj21194 | oc71 transistor | 2n3440 | bc550c | 2n3904 transistor datasheet | p75nf75 | d880 transistor | 2sc1845