SMNY2Z30 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SMNY2Z30
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.6 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 300 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 2.9 nC
Tiempo de subida (tr): 17 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 15 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-92
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SMNY2Z30 Datasheet (PDF)
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SMNY2Z30Advanced N-Ch Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATION Features High voltage: BVDDS=300V (Min.) Low gate charge: Qg=2.9nC (Typ.) Low drain-source On resistance: RDS(on)=8 (Max.) Built-in protection zener diode RoHS compliant device Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-92 SMNY2Z30 SMNY2Z30 TO-92 Marking Informatio
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
