SMNY2Z30 Todos los transistores

 

SMNY2Z30 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SMNY2Z30
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-92
 

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SMNY2Z30 Datasheet (PDF)

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SMNY2Z30

SMNY2Z30Advanced N-Ch Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATION Features High voltage: BVDDS=300V (Min.) Low gate charge: Qg=2.9nC (Typ.) Low drain-source On resistance: RDS(on)=8 (Max.) Built-in protection zener diode RoHS compliant device Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-92 SMNY2Z30 SMNY2Z30 TO-92 Marking Informatio

Otros transistores... SMN03T80F , SMN03T80IS , SMN0470F , SMN04L20D , SMN04L20IS , SMN0665F , SMN09L20D , SMN18T50FD , 5N65 , STK0170 , STK0380D , STK0380F , STK730F , STK830D , STK830F , STK830P , SUN0260D .

History: RU5H18Q | VBZQA80N03

 

 
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