Справочник MOSFET. SMNY2Z30

 

SMNY2Z30 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SMNY2Z30
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 2.9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: TO-92
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SMNY2Z30 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:348K  auk
 smny2z30.pdf pdf_icon

SMNY2Z30

SMNY2Z30Advanced N-Ch Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATION Features High voltage: BVDDS=300V (Min.) Low gate charge: Qg=2.9nC (Typ.) Low drain-source On resistance: RDS(on)=8 (Max.) Built-in protection zener diode RoHS compliant device Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-92 SMNY2Z30 SMNY2Z30 TO-92 Marking Informatio

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SMOS26N50

 

 
Back to Top

 


 
.