Справочник MOSFET. SMNY2Z30

 

SMNY2Z30 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SMNY2Z30
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: TO-92
 

 Аналог (замена) для SMNY2Z30

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SMNY2Z30 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:348K  auk
 smny2z30.pdf pdf_icon

SMNY2Z30

SMNY2Z30Advanced N-Ch Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATION Features High voltage: BVDDS=300V (Min.) Low gate charge: Qg=2.9nC (Typ.) Low drain-source On resistance: RDS(on)=8 (Max.) Built-in protection zener diode RoHS compliant device Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-92 SMNY2Z30 SMNY2Z30 TO-92 Marking Informatio

Другие MOSFET... SMN03T80F , SMN03T80IS , SMN0470F , SMN04L20D , SMN04L20IS , SMN0665F , SMN09L20D , SMN18T50FD , 5N65 , STK0170 , STK0380D , STK0380F , STK730F , STK830D , STK830F , STK830P , SUN0260D .

History: IRF9530NLPBF | HSP0016 | WMM071N15HG2 | FQB5N50TM | FS3UM-16A | FQA8N90C | NTMFS6H836NL

 

 
Back to Top

 


 
.