STK830D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STK830D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 48 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 4.5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 17 nC
   Tiempo de subida (tr): 46 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 80 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STK830D

STK830D Datasheet (PDF)

..1. Size:465K auk
stk830d.pdf

STK830DSemiconductor Semiconductor Advanced N-Ch Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS PIN Connection Features D High Voltage: BVDSS=500V(Min.) Low Crss : Crss=10pF(Typ.) D Low gate charge : Qg=17nC(Typ.) Low RDS(on) :RDS(on)=1.5(Max.) G Ordering Information G D S S Type No. Marking Package Code TO-252 STK830D STK830 TO-252A

8.1. Size:412K auk
stk830f.pdf

STK830FSemiconductor Semiconductor Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features High Voltage: BVDSS=500V(Min.) Low Crss : Crss=8.4pF(Typ.) Low gate charge : Qg=17nC(Typ.) Low RDS(on) :RDS(on)=1.5(Max.) Ordering Information Type NO. Marking Package Code STK830F STK830 TO-220F-3LOutline Dimensions unit : mm 3.05~3.35 9.80~10.20 2.

8.2. Size:398K auk
stk830p.pdf

STK830PSemiconductor Semiconductor Advanced Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features High Voltage: BVDSS=500V(Min.) Low Crss : Crss=8.4pF(Typ.) Low gate charge : Qg=17nC(Typ.) Low RDS(on) :RDS(on)=1.5(Max.) Ordering Information Type NO. Marking Package Code STK830P STK830 TO-220AB-3LOutline Dimensions unit : mm 3.90 Max. 1.17~1

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