STK830D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STK830D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
Encapsulados: TO-252
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STK830D datasheet
stk830d.pdf
STK830D Semiconductor Semiconductor Advanced N-Ch Power MOSFET SWITCHING REGULATOR APPLICATIONS PIN Connection Features D High Voltage BVDSS=500V(Min.) Low Crss Crss=10pF(Typ.) D Low gate charge Qg=17nC(Typ.) Low RDS(on) RDS(on)=1.5 (Max.) G Ordering Information G D S S Type No. Marking Package Code TO-252 STK830D STK830 TO-252 A
stk830f.pdf
STK830F Semiconductor Semiconductor Power MOSFET SWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features High Voltage BVDSS=500V(Min.) Low Crss Crss=8.4pF(Typ.) Low gate charge Qg=17nC(Typ.) Low RDS(on) RDS(on)=1.5 (Max.) Ordering Information Type NO. Marking Package Code STK830F STK830 TO-220F-3L Outline Dimensions unit mm 3.05 3.35 9.80 10.20 2.
stk830p.pdf
STK830P Semiconductor Semiconductor Advanced Power MOSFET SWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features High Voltage BVDSS=500V(Min.) Low Crss Crss=8.4pF(Typ.) Low gate charge Qg=17nC(Typ.) Low RDS(on) RDS(on)=1.5 (Max.) Ordering Information Type NO. Marking Package Code STK830P STK830 TO-220AB-3L Outline Dimensions unit mm 3.90 Max. 1.17 1
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