STK830D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STK830D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 48 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 17 nC
Время нарастания (tr): 46 ns
Выходная емкость (Cd): 80 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.5 Ohm
Тип корпуса: TO-252
STK830D Datasheet (PDF)
stk830d.pdf
STK830DSemiconductor Semiconductor Advanced N-Ch Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS PIN Connection Features D High Voltage: BVDSS=500V(Min.) Low Crss : Crss=10pF(Typ.) D Low gate charge : Qg=17nC(Typ.) Low RDS(on) :RDS(on)=1.5(Max.) G Ordering Information G D S S Type No. Marking Package Code TO-252 STK830D STK830 TO-252A
stk830f.pdf
STK830FSemiconductor Semiconductor Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features High Voltage: BVDSS=500V(Min.) Low Crss : Crss=8.4pF(Typ.) Low gate charge : Qg=17nC(Typ.) Low RDS(on) :RDS(on)=1.5(Max.) Ordering Information Type NO. Marking Package Code STK830F STK830 TO-220F-3LOutline Dimensions unit : mm 3.05~3.35 9.80~10.20 2.
stk830p.pdf
STK830PSemiconductor Semiconductor Advanced Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features High Voltage: BVDSS=500V(Min.) Low Crss : Crss=8.4pF(Typ.) Low gate charge : Qg=17nC(Typ.) Low RDS(on) :RDS(on)=1.5(Max.) Ordering Information Type NO. Marking Package Code STK830P STK830 TO-220AB-3LOutline Dimensions unit : mm 3.90 Max. 1.17~1
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
