SNN0310Q Todos los transistores

 

SNN0310Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SNN0310Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223
 

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SNN0310Q Datasheet (PDF)

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SNN0310Q

SNN0310Q Advanced N-Ch Trench MOSFET 100V, 3A N-Channel Power Trench MOSFET Features Max. RDS(ON) = 150m at VGS = 10V, ID = 2A Low gate charge: Qg=18nC (Typ.) High performance trench technology for extremely low RDS(on) 100% avalanche tested D Halogen free and RoHS compliant device G Ordering Information D S Part Number Marking Package SOT-22

Otros transistores... SUN0765I2 , SUN1060F , SUN1060I2 , 2N7002B , 2N7002KU , SNN01Z10D , SNN01Z10Q , SNN01Z60Q , IRFZ48N , SNN0630Q , SNN2515D , SNN3515D , SNN4010D , SNN5010D , STK0602U , STK5006P , STK7002 .

History: SDM9433 | IRLR8113PBF | SI2311DS | CS2N80A3HY | AP01L60T-H-HF | SI2306BDS | AP6982GM-HF

 

 
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