SNN0310Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SNN0310Q
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-223
Búsqueda de reemplazo de SNN0310Q MOSFET
SNN0310Q Datasheet (PDF)
snn0310q.pdf

SNN0310Q Advanced N-Ch Trench MOSFET 100V, 3A N-Channel Power Trench MOSFET Features Max. RDS(ON) = 150m at VGS = 10V, ID = 2A Low gate charge: Qg=18nC (Typ.) High performance trench technology for extremely low RDS(on) 100% avalanche tested D Halogen free and RoHS compliant device G Ordering Information D S Part Number Marking Package SOT-22
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Liste
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