Справочник MOSFET. SNN0310Q

 

SNN0310Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SNN0310Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
 

 Аналог (замена) для SNN0310Q

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SNN0310Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:362K  auk
 snn0310q.pdf pdf_icon

SNN0310Q

SNN0310Q Advanced N-Ch Trench MOSFET 100V, 3A N-Channel Power Trench MOSFET Features Max. RDS(ON) = 150m at VGS = 10V, ID = 2A Low gate charge: Qg=18nC (Typ.) High performance trench technology for extremely low RDS(on) 100% avalanche tested D Halogen free and RoHS compliant device G Ordering Information D S Part Number Marking Package SOT-22

Другие MOSFET... SUN0765I2 , SUN1060F , SUN1060I2 , 2N7002B , 2N7002KU , SNN01Z10D , SNN01Z10Q , SNN01Z60Q , IRF9640 , SNN0630Q , SNN2515D , SNN3515D , SNN4010D , SNN5010D , STK0602U , STK5006P , STK7002 .

History: IPI90R800C3 | MMP4407 | NTHD4P02FT1G

 

 
Back to Top

 


 
.