SNN0310Q - описание и поиск аналогов

 

SNN0310Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SNN0310Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

Аналог (замена) для SNN0310Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SNN0310Q даташит

 ..1. Size:362K  auk
 snn0310q.pdf pdf_icon

SNN0310Q

SNN0310Q Advanced N-Ch Trench MOSFET 100V, 3A N-Channel Power Trench MOSFET Features Max. RDS(ON) = 150m at VGS = 10V, ID = 2A Low gate charge Qg=18nC (Typ.) High performance trench technology for extremely low RDS(on) 100% avalanche tested D Halogen free and RoHS compliant device G Ordering Information D S Part Number Marking Package SOT-22

Другие MOSFET... SUN0765I2 , SUN1060F , SUN1060I2 , 2N7002B , 2N7002KU , SNN01Z10D , SNN01Z10Q , SNN01Z60Q , K2611 , SNN0630Q , SNN2515D , SNN3515D , SNN4010D , SNN5010D , STK0602U , STK5006P , STK7002 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.