SNN2515D Todos los transistores

 

SNN2515D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SNN2515D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 247 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

SNN2515D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:316K  auk
snn2515d.pdf pdf_icon

SNN2515D

SNN2515DN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures VDSS = 150V, ID = 25A Low drain-source On resistance: D RDS(on) = 55m (Typ.) @ VGS = 10V, ID = 12A RDS(on) = 60m (Typ.) @ VGS = 5V, ID = 10A High power and current handing capability Lead Free and Green devices available (RoHS Compliant) G S Applications Power Management in TV Converter

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 2SK1847 | TMPF11N50SG | AP4407GS-HF | IPW65R280E6 | 2SK3679-01MR | AM7498N | ME120N10T-G

 

 
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