SNN2515D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SNN2515D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 247 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
- Selección de transistores por parámetros
SNN2515D Datasheet (PDF)
snn2515d.pdf

SNN2515DN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures VDSS = 150V, ID = 25A Low drain-source On resistance: D RDS(on) = 55m (Typ.) @ VGS = 10V, ID = 12A RDS(on) = 60m (Typ.) @ VGS = 5V, ID = 10A High power and current handing capability Lead Free and Green devices available (RoHS Compliant) G S Applications Power Management in TV Converter
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: 2SK1847 | TMPF11N50SG | AP4407GS-HF | IPW65R280E6 | 2SK3679-01MR | AM7498N | ME120N10T-G
History: 2SK1847 | TMPF11N50SG | AP4407GS-HF | IPW65R280E6 | 2SK3679-01MR | AM7498N | ME120N10T-G



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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