Справочник MOSFET. SNN2515D

 

SNN2515D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SNN2515D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 247 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для SNN2515D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SNN2515D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:316K  auk
 snn2515d.pdf pdf_icon

SNN2515D

SNN2515DN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures VDSS = 150V, ID = 25A Low drain-source On resistance: D RDS(on) = 55m (Typ.) @ VGS = 10V, ID = 12A RDS(on) = 60m (Typ.) @ VGS = 5V, ID = 10A High power and current handing capability Lead Free and Green devices available (RoHS Compliant) G S Applications Power Management in TV Converter

Другие MOSFET... SUN1060I2 , 2N7002B , 2N7002KU , SNN01Z10D , SNN01Z10Q , SNN01Z60Q , SNN0310Q , SNN0630Q , MMD60R360PRH , SNN3515D , SNN4010D , SNN5010D , STK0602U , STK5006P , STK7002 , STK7006P , STJ001SF .

History: IPD60R280P7 | HSP6048 | RFD15P05SM | SSM9926TGO | KIA65R420 | 8958 | B25N10

 

 
Back to Top

 


 
.