SNN2515D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SNN2515D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83.3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 25 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 62 nC
Время нарастания (tr): 3 ns
Выходная емкость (Cd): 247 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.07 Ohm
Тип корпуса: TO-252
SNN2515D Datasheet (PDF)
..1. Size:316K auk
snn2515d.pdf
snn2515d.pdf
SNN2515DN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures VDSS = 150V, ID = 25A Low drain-source On resistance: D RDS(on) = 55m (Typ.) @ VGS = 10V, ID = 12A RDS(on) = 60m (Typ.) @ VGS = 5V, ID = 10A High power and current handing capability Lead Free and Green devices available (RoHS Compliant) G S Applications Power Management in TV Converter
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
