SNN2515D - описание и поиск аналогов

 

SNN2515D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SNN2515D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 247 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для SNN2515D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SNN2515D даташит

 ..1. Size:316K  auk
 snn2515d.pdf pdf_icon

SNN2515D

SNN2515D N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features VDSS = 150V, ID = 25A Low drain-source On resistance D RDS(on) = 55m (Typ.) @ VGS = 10V, ID = 12A RDS(on) = 60m (Typ.) @ VGS = 5V, ID = 10A High power and current handing capability Lead Free and Green devices available (RoHS Compliant) G S Applications Power Management in TV Converter

Другие MOSFET... SUN1060I2 , 2N7002B , 2N7002KU , SNN01Z10D , SNN01Z10Q , SNN01Z60Q , SNN0310Q , SNN0630Q , RU7088R , SNN3515D , SNN4010D , SNN5010D , STK0602U , STK5006P , STK7002 , STK7006P , STJ001SF .

History: BSC052N03LS | IPA045N10N3 | KDW2521C | BSC059N03S | BSC046N10NS3G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.