SNN4010D Todos los transistores

 

SNN4010D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SNN4010D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 84 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 144 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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SNN4010D Datasheet (PDF)

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SNN4010D

SNN4010DN-Ch Trench MOSFETPower Switching Application Features Drain-source breakdown voltage: BVDSS=100V Low gate charge device D Low drain-source On resistance: RDS(on)=25m (Typ.) Advanced trench process technology High avalanche energy, 100% test G Ordering Information S Part Number Marking Package TO-252 SNN4010D SNN4010 TO-252 Marking

Otros transistores... 2N7002KU , SNN01Z10D , SNN01Z10Q , SNN01Z60Q , SNN0310Q , SNN0630Q , SNN2515D , SNN3515D , AO4468 , SNN5010D , STK0602U , STK5006P , STK7002 , STK7006P , STJ001SF , STJ004SF , STJ009 .

History: LNN06R062 | IRLU3705Z | 2SJ187 | LSD60R170GT

 

 
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History: LNN06R062 | IRLU3705Z | 2SJ187 | LSD60R170GT

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