SNN4010D Todos los transistores

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SNN4010D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SNN4010D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 84 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 45 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 13.2 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 144 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.03 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-252

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SNN4010D Datasheet (PDF)

1.1. snn4010d.pdf Size:307K _auk

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SNN4010D N-Ch Trench MOSFET Power Switching Application Features ? Drain-source breakdown voltage: BVDSS=100V ? Low gate charge device D ? Low drain-source On resistance: RDS(on)=25m? (Typ.) ? Advanced trench process technology ? High avalanche energy, 100% test G Ordering Information S Part Number Marking Package TO-252 SNN4010D SNN4010 TO-252 Marking Information

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