Справочник MOSFET. SNN4010D

 

SNN4010D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SNN4010D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 84 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 144 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для SNN4010D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SNN4010D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:307K  auk
 snn4010d.pdf pdf_icon

SNN4010D

SNN4010DN-Ch Trench MOSFETPower Switching Application Features Drain-source breakdown voltage: BVDSS=100V Low gate charge device D Low drain-source On resistance: RDS(on)=25m (Typ.) Advanced trench process technology High avalanche energy, 100% test G Ordering Information S Part Number Marking Package TO-252 SNN4010D SNN4010 TO-252 Marking

Другие MOSFET... 2N7002KU , SNN01Z10D , SNN01Z10Q , SNN01Z60Q , SNN0310Q , SNN0630Q , SNN2515D , SNN3515D , HY1906P , SNN5010D , STK0602U , STK5006P , STK7002 , STK7006P , STJ001SF , STJ004SF , STJ009 .

History: MTB30P06VT4 | WMT04P06TS | WSD2054DN22 | HSL0004 | CRTS030N04L | SWD10N65K2

 

 
Back to Top

 


 
.