SNN4010D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SNN4010D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 84 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 13.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 144 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для SNN4010D
SNN4010D Datasheet (PDF)
snn4010d.pdf

SNN4010DN-Ch Trench MOSFETPower Switching Application Features Drain-source breakdown voltage: BVDSS=100V Low gate charge device D Low drain-source On resistance: RDS(on)=25m (Typ.) Advanced trench process technology High avalanche energy, 100% test G Ordering Information S Part Number Marking Package TO-252 SNN4010D SNN4010 TO-252 Marking
Другие MOSFET... 2N7002KU , SNN01Z10D , SNN01Z10Q , SNN01Z60Q , SNN0310Q , SNN0630Q , SNN2515D , SNN3515D , AO4468 , SNN5010D , STK0602U , STK5006P , STK7002 , STK7006P , STJ001SF , STJ004SF , STJ009 .
History: LNN06R062 | IRLU3705Z | 2SJ187 | LSD60R170GT
History: LNN06R062 | IRLU3705Z | 2SJ187 | LSD60R170GT



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP90N02NF | AP90N02D | AP8V06S | AP8P04S | AP8P04MI | AP8N10MI | AP8N06SI | AP8H06S | AP8H04S | AP8H04DF | AP8814A | AP85N04NF | AP8205S | AP8205A-21 | AP80P10D | AP50N20MP
Popular searches
2n5550 | 2sd1047 | 2n3035 | ksc1815 | bu406 | j201 datasheet | 2n5088 datasheet | irfp064n