Справочник MOSFET. SNN4010D

 

SNN4010D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SNN4010D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 84 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 46.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 13.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 144 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SNN4010D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:307K  auk
 snn4010d.pdf pdf_icon

SNN4010D

SNN4010DN-Ch Trench MOSFETPower Switching Application Features Drain-source breakdown voltage: BVDSS=100V Low gate charge device D Low drain-source On resistance: RDS(on)=25m (Typ.) Advanced trench process technology High avalanche energy, 100% test G Ordering Information S Part Number Marking Package TO-252 SNN4010D SNN4010 TO-252 Marking

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: NCEP6090AGU

 

 
Back to Top

 


 
.