FRM9250R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FRM9250R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO204AA
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FRM9250R
FRM9250R Datasheet (PDF)
frm9250.pdf
FRM9250D, FRM9250R,FRM9250H16A, -200V, 0.300 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 16A, -200V, RDS(on) = 0.300TO-204AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD
frm9240.pdf
FRM9240D, FRM9240R,FRM9240H7A, -200V, 0.720 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 7A, -200V, RDS(on) = 0.720TO-204AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(S
frm9230.pdf
FRM9230D, FRM9230R,FRM9230H4A, -200V, 1.30 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 4A, -200V, RDS(on) = 1.30TO-204AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)
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