FRM9250R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FRM9250R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 16 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 250 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.3 Ohm
Тип корпуса: TO204AA
FRM9250R Datasheet (PDF)
frm9250.pdf
FRM9250D, FRM9250R,FRM9250H16A, -200V, 0.300 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 16A, -200V, RDS(on) = 0.300TO-204AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD
frm9240.pdf
FRM9240D, FRM9240R,FRM9240H7A, -200V, 0.720 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 7A, -200V, RDS(on) = 0.720TO-204AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(S
frm9230.pdf
FRM9230D, FRM9230R,FRM9230H4A, -200V, 1.30 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 4A, -200V, RDS(on) = 1.30TO-204AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)
Другие MOSFET... FRM9230D , FRM9230H , FRM9230R , FRM9240D , FRM9240H , FRM9240R , FRM9250D , FRM9250H , IRF9540 , FRS130D , FRS130H , FRS130R , FRS140D , FRS140H , FRS140R , FRS230D , FRS230H .
