9N100 Todos los transistores

 

9N100 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 9N100

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: TO-247

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9N100 datasheet

 ..1. Size:208K  utc
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9N100

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 9N100 Preliminary Power MOSFET 9A, 1000V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 9N100 is an N-channel mode power MOSFET using UTC s advanced technology to provide costumers with planar stripe and DMOS technology. This technology allows a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand high energy pul

 0.1. Size:162K  solitron
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9N100

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