9N100 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 9N100
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
Encapsulados: TO-247
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9N100 datasheet
9n100.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 9N100 Preliminary Power MOSFET 9A, 1000V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 9N100 is an N-channel mode power MOSFET using UTC s advanced technology to provide costumers with planar stripe and DMOS technology. This technology allows a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand high energy pul
Otros transistores... SUM201MN , SUM202MN , 8N90 , 9N90 , 10N90 , 11N90 , 12N90 , 9N95 , IRFB4227 , 1N90 , 2N90 , 3N90 , 4N90 , 5N90 , 6N90 , 7N90 , 1N80 .
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