9N100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 9N100
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 225 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 9N100

9N100 Datasheet (PDF)

..1. Size:208K utc
9n100.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 9N100 Preliminary Power MOSFET 9A, 1000V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 9N100 is an N-channel mode power MOSFET usingUTCs advanced technology to provide costumers with planar stripe and DMOS technology. This technology allows a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand high energy pul

0.1. Size:162K solitron
sdf9n100.pdf

0.2. Size:159K solitron
sdf9n100gaf.pdf

0.3. Size:57K solitron
sdf9n100sxh.pdf

0.4. Size:22K shaanxi
wvm3.9n100.pdf

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China WVM3.9N100Power MOSFET(N-channel) TransistorFeatures: 1. Its voltage control component with good input impedance, small starting power dissipation, wide area of safe operation, good temperature stability. 2. Implementation of standards: QZJ840611 3. Use for high speed switch, circuit of power source

0.5. Size:659K cn scilicon
sfg019n100c3.pdf

SFG019N100C3 N-MOSFET 100V, 1.5m, 280AFeatures Product Summary Low on resistanceV 100V DS Low gate chargeR 1.5m DS(on) typ. Fast switchingI 420A D(Silicon Limited) High avalanche currentI 280A D(Package Limited) Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems

0.6. Size:756K cn scilicon
sfp041n100c3 sfb039n100c3.pdf

SFP041N100C3, SFB039N100C3 N-MOSFET 100V, 3.5m, 120AFeatures Product Summary Low on resistanceV 100V DS Low gate chargeR 3.5m DS(on) typ. Fast switchingI 120A D High avalanche current Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems Battery Management DC/DC

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Liste

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