9N100 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 9N100
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для 9N100
9N100 Datasheet (PDF)
9n100.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 9N100 Preliminary Power MOSFET 9A, 1000V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 9N100 is an N-channel mode power MOSFET usingUTCs advanced technology to provide costumers with planar stripe and DMOS technology. This technology allows a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand high energy pul
Другие MOSFET... SUM201MN , SUM202MN , 8N90 , 9N90 , 10N90 , 11N90 , 12N90 , 9N95 , IRFB4227 , 1N90 , 2N90 , 3N90 , 4N90 , 5N90 , 6N90 , 7N90 , 1N80 .
History: WMM10N65EM | IRFB52N15D | WMM07N80M3 | WMK190N15HG4 | IRF9131 | 9N95
History: WMM10N65EM | IRFB52N15D | WMM07N80M3 | WMK190N15HG4 | IRF9131 | 9N95
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM404AP1 | AGM404A | AGM403Q | AGM403DG | AGM403D1 | AGM403AP | AGM403A1-KU | AGM403A1 | AGM402Q | AGM402H | AGM402D | AGM402C1 | AGM402C | AGM402A1 | AGM402A | AGM4025Q
Popular searches
2sc458 replacement | bc557 transistor | 2n3638 | tip127 datasheet | irlz24n | irf620 | irfp350 | 13003 transistor






