9N100 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 9N100
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для 9N100
9N100 Datasheet (PDF)
9n100.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 9N100 Preliminary Power MOSFET 9A, 1000V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 9N100 is an N-channel mode power MOSFET usingUTCs advanced technology to provide costumers with planar stripe and DMOS technology. This technology allows a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand high energy pul
Другие MOSFET... SUM201MN , SUM202MN , 8N90 , 9N90 , 10N90 , 11N90 , 12N90 , 9N95 , IRF3710 , 1N90 , 2N90 , 3N90 , 4N90 , 5N90 , 6N90 , 7N90 , 1N80 .
History: SM6032NSG | STT04N20 | TMA2N60H | 2SK2793 | WNM2016-3 | BSC0921NDI | BSC0906NS
History: SM6032NSG | STT04N20 | TMA2N60H | 2SK2793 | WNM2016-3 | BSC0921NDI | BSC0906NS



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sc458 replacement | bc557 transistor | 2n3638 | tip127 datasheet | irlz24n | irf620 | irfp350 | 13003 transistor