9N100 - описание и поиск аналогов

 

9N100. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 9N100

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для 9N100

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

9N100 даташит

 ..1. Size:208K  utc
 9n100.pdf pdf_icon

9N100

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 9N100 Preliminary Power MOSFET 9A, 1000V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 9N100 is an N-channel mode power MOSFET using UTC s advanced technology to provide costumers with planar stripe and DMOS technology. This technology allows a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand high energy pul

 0.1. Size:162K  solitron
 sdf9n100.pdf pdf_icon

9N100

 0.2. Size:159K  solitron
 sdf9n100gaf.pdf pdf_icon

9N100

 0.3. Size:57K  solitron
 sdf9n100sxh.pdf pdf_icon

9N100

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SUM201MN , SUM202MN , 8N90 , 9N90 , 10N90 , 11N90 , 12N90 , 9N95 , IRFB4227 , 1N90 , 2N90 , 3N90 , 4N90 , 5N90 , 6N90 , 7N90 , 1N80 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.