Справочник MOSFET. 9N100

 

9N100 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 9N100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для 9N100

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

9N100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:208K  utc
9n100.pdfpdf_icon

9N100

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 9N100 Preliminary Power MOSFET 9A, 1000V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 9N100 is an N-channel mode power MOSFET usingUTCs advanced technology to provide costumers with planar stripe and DMOS technology. This technology allows a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand high energy pul

 0.1. Size:162K  solitron
sdf9n100.pdfpdf_icon

9N100

 0.2. Size:159K  solitron
sdf9n100gaf.pdfpdf_icon

9N100

 0.3. Size:57K  solitron
sdf9n100sxh.pdfpdf_icon

9N100

Другие MOSFET... SUM201MN , SUM202MN , 8N90 , 9N90 , 10N90 , 11N90 , 12N90 , 9N95 , AON6414A , 1N90 , 2N90 , 3N90 , 4N90 , 5N90 , 6N90 , 7N90 , 1N80 .

History: IXTP5N60P | IRF7807TRPBF-1 | VN1206N5 | APT1201R4BLL

 

 
Back to Top

 


 
.