12N80 Todos los transistores

 

12N80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 12N80

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 390 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 800 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 12 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 12 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 315 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.75 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-3P TO-247 TO-230 TO-220F2

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12N80 Datasheet (PDF)

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 12N80 Power MOSFET 12A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 12N80 is an N-channel enhancement mode power MOSFET using UTCs advanced technology to provide customerswith planar stripe and DMOS technology. This technology is specialized in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withs

0.2. tman12n80z.pdf Size:502K _trinnotech

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TMAN12N80Z N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 800V 12A

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TMAN12N80AZ N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 800V 12A

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nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS12N80F, CS12N80V800V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS12N80F TO-220F CS12N80FC

Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
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