12N80 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 12N80
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 390 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 12 ns
Выходная емкость (Cd): 315 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.75 Ohm
Тип корпуса: TO-3P_TO-247_TO-230_TO-220F2
12N80 Datasheet (PDF)
1.1. tman12n80az.pdf 
Size:505K _upd-mosfet
TMAN12N80AZ N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 800V 12A < 0.65W 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification Improved ESD performance Device Package Marking Remark TMAN12N80AZ TO-3PN TMAN12N80AZ RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol TMAN12N80AZ Unit Drain-Source Voltage V
1.2. tman12n80z.pdf Size:502K _upd-mosfet
TMAN12N80Z N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 800V 12A <0.65W 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification Device Package Marking Remark TMAN12N80Z TO-3PN TMAN12N80Z RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol TMAN12N80Z Unit Drain-Source Voltage VDS 800 V Gate-Source Voltage VG
1.3. 12n80.pdf Size:232K _utc
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 12N80 Power MOSFET 12A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET ? DESCRIPTION The UTC 12N80 is an N-channel enhancement mode power MOSFET using UTC’s advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology is specialized in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand
Другие MOSFET... 2P7145B-IM , 2P7145B-5-IM , 2P7172A , 2P7172A-5 , 2P7233A , 2P7233A-5 , 2P7209A , 2P7234A , IRF1010E , SI2300 , SI2302 , SI2312 , XP151A13COMR , AO3400 , PT8205 , PT8205A , PT8822 .
