1N70Z Todos los transistores

 

1N70Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 1N70Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 9.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-92
 

 Búsqueda de reemplazo de 1N70Z MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

1N70Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:304K  utc
 1n70z.pdf pdf_icon

1N70Z

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 1N70Z Power MOSFET 1.2A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 1N70Z is a high voltage MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power supplies

Otros transistores... 4N80 , 5N80 , 6N80 , 7N80 , 8N80 , 9N80 , 10N80 , 12N80 , AO3400 , 2N70 , 2N70Z , 2N70ZL , 2N70K , 3N70 , 3N70A , 3N70K , 4N70 .

History: SSF1502G5 | NCE65TF099T | APT50M65JFLL | IPP06CN10NG | IPD12CNE8NG | SI3457BDV | SKI04024

 

 
Back to Top

 


 
.