Справочник MOSFET. 1N70Z

 

1N70Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 1N70Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-92
 

 Аналог (замена) для 1N70Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

1N70Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:304K  utc
 1n70z.pdf pdf_icon

1N70Z

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 1N70Z Power MOSFET 1.2A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 1N70Z is a high voltage MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power supplies

Другие MOSFET... 4N80 , 5N80 , 6N80 , 7N80 , 8N80 , 9N80 , 10N80 , 12N80 , AO3400 , 2N70 , 2N70Z , 2N70ZL , 2N70K , 3N70 , 3N70A , 3N70K , 4N70 .

History: IPA80R1K2P7 | IRFBC30ASPBF

 

 
Back to Top

 


 
.