1N70Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 1N70Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9.3 Ohm

Тип корпуса: TO-92

Аналог (замена) для 1N70Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

1N70Z даташит

 ..1. Size:304K  utc
 1n70z.pdf pdf_icon

1N70Z

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 1N70Z Power MOSFET 1.2A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 1N70Z is a high voltage MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power supplies

Другие IGBT... 4N80, 5N80, 6N80, 7N80, 8N80, 9N80, 10N80, 12N80, AO3401, 2N70, 2N70Z, 2N70ZL, 2N70K, 3N70, 3N70A, 3N70K, 4N70