3N70A Todos los transistores

 

3N70A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3N70A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

 Búsqueda de reemplazo de 3N70A MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

3N70A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:260K  utc
 3n70a.pdf pdf_icon

3N70A

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 3N70A Power MOSFET 700V, 3A N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 3N70A is a high voltage and high current power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used in the high speed switching appli

 0.1. Size:351K  wuxi china
 cs3n70a3h-g.pdf pdf_icon

3N70A

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS3N70 A3H-G General Description VDSS 700 V CS3N70 A3H-G the silicon N-channel Enhanced ID 3 A PD (TC=25) 55 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 3.8 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow

Otros transistores... 10N80 , 12N80 , 1N70Z , 2N70 , 2N70Z , 2N70ZL , 2N70K , 3N70 , IRFB3607 , 3N70K , 4N70 , 4N70K , 5N70K , 6N70 , 7N70 , 8N70 , 9N70 .

History: 9N100 | PHD16N03T | NCE3095G | 2SK1011 | BF904AWR | VBE2412 | NCE0275T

 

 
Back to Top

 


 
.