3N70A - аналоги и даташиты транзистора

 

3N70A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 3N70A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для 3N70A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

3N70A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:260K  utc
 3n70a.pdf pdf_icon

3N70A

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 3N70A Power MOSFET 700V, 3A N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 3N70A is a high voltage and high current power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used in the high speed switching appli

 0.1. Size:351K  wuxi china
 cs3n70a3h-g.pdf pdf_icon

3N70A

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS3N70 A3H-G General Description VDSS 700 V CS3N70 A3H-G the silicon N-channel Enhanced ID 3 A PD (TC=25) 55 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 3.8 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow

Другие MOSFET... 10N80 , 12N80 , 1N70Z , 2N70 , 2N70Z , 2N70ZL , 2N70K , 3N70 , IRFB3607 , 3N70K , 4N70 , 4N70K , 5N70K , 6N70 , 7N70 , 8N70 , 9N70 .

History: SIHF630S | APT30M30LLLG | NCE2030

 

 
Back to Top

 


 
.