3N70A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3N70A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для 3N70A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

3N70A даташит

 ..1. Size:260K  utc
 3n70a.pdf pdf_icon

3N70A

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 3N70A Power MOSFET 700V, 3A N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 3N70A is a high voltage and high current power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used in the high speed switching appli

 0.1. Size:351K  wuxi china
 cs3n70a3h-g.pdf pdf_icon

3N70A

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS3N70 A3H-G General Description VDSS 700 V CS3N70 A3H-G the silicon N-channel Enhanced ID 3 A PD (TC=25 ) 55 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 3.8 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow

Другие IGBT... 10N80, 12N80, 1N70Z, 2N70, 2N70Z, 2N70ZL, 2N70K, 3N70, K4145, 3N70K, 4N70, 4N70K, 5N70K, 6N70, 7N70, 8N70, 9N70