Справочник MOSFET. 3N70A

 

3N70A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 3N70A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

3N70A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:260K  utc
3n70a.pdfpdf_icon

3N70A

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 3N70A Power MOSFET 700V, 3A N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 3N70A is a high voltage and high current power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used in the high speed switching appli

 0.1. Size:351K  wuxi china
cs3n70a3h-g.pdfpdf_icon

3N70A

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS3N70 A3H-G General Description VDSS 700 V CS3N70 A3H-G the silicon N-channel Enhanced ID 3 A PD (TC=25) 55 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 3.8 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRFF430 | MTEF1P15AV8 | FTU220 | NCE60NF055 | FHF5N60 | IRFB7746 | IPB100N06S2-05

 

 
Back to Top

 


 
.