6N65Z Todos los transistores

 

6N65Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 6N65Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

 Búsqueda de reemplazo de 6N65Z MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

6N65Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:245K  utc
 6n65z.pdf pdf_icon

6N65Z

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 6N65Z Power MOSFET 6.2A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 6N65Z is a high voltage power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used in high speed switching applications of switch

Otros transistores... 5N70K , 6N70 , 7N70 , 8N70 , 9N70 , 10N70 , 12N70 , 15N70 , 20N50 , 7N65A , 7N65 , 7N65Z , 7N65K , 8N65 , 9N65 , 10N65 , 10N65Z .

History: SD219DE | TSM6968SDCA | NCE30D0808J | PJE8402 | SIHF610S | GSM2303 | IRFS654B

 

 
Back to Top

 


 
.