Справочник MOSFET. 6N65Z

 

6N65Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 6N65Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для 6N65Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

6N65Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:245K  utc
 6n65z.pdf pdf_icon

6N65Z

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 6N65Z Power MOSFET 6.2A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 6N65Z is a high voltage power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used in high speed switching applications of switch

Другие MOSFET... 5N70K , 6N70 , 7N70 , 8N70 , 9N70 , 10N70 , 12N70 , 15N70 , 20N50 , 7N65A , 7N65 , 7N65Z , 7N65K , 8N65 , 9N65 , 10N65 , 10N65Z .

History: SVT1104SA | SKI06048 | WM02DP06D

 

 
Back to Top

 


 
.