6N65Z - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 6N65Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для 6N65Z
6N65Z Datasheet (PDF)
6n65z.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 6N65Z Power MOSFET 6.2A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 6N65Z is a high voltage power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used in high speed switching applications of switch
Другие MOSFET... 5N70K , 6N70 , 7N70 , 8N70 , 9N70 , 10N70 , 12N70 , 15N70 , 18N50 , 7N65A , 7N65 , 7N65Z , 7N65K , 8N65 , 9N65 , 10N65 , 10N65Z .
History: SI4455DY | SMK0460D | SM2013PSKP | SIHFB20N50K | MCH3478 | FDV305N | TTK101MFV
History: SI4455DY | SMK0460D | SM2013PSKP | SIHFB20N50K | MCH3478 | FDV305N | TTK101MFV



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
ao4407a | mpsa06 datasheet | bc548 pinout | bdw94c | bd140 transistor | 2n2222a datasheet | bd136 | tl431 datasheet