6N65Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 6N65Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для 6N65Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

6N65Z даташит

 ..1. Size:245K  utc
 6n65z.pdf pdf_icon

6N65Z

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 6N65Z Power MOSFET 6.2A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 6N65Z is a high voltage power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used in high speed switching applications of switch

Другие IGBT... 5N70K, 6N70, 7N70, 8N70, 9N70, 10N70, 12N70, 15N70, STP80NF70, 7N65A, 7N65, 7N65Z, 7N65K, 8N65, 9N65, 10N65, 10N65Z