2N65L Todos los transistores

 

2N65L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N65L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 54 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 650 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 25 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 40 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 3.9 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-220_TO-251_TO-252_TO-220F

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2N65L Datasheet (PDF)

1.1. 2n65l.pdf Size:181K _utc

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2N65L Preliminary Power MOSFET 2A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET 1 TO-220 DESCRIPTION The UTC 2N65L is a high voltage power MOSFET and is 1 TO-220F designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used in the hi

1.2. aob12n65l.pdf Size:385K _aosemi

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AOT12N65/AOTF12N65/AOB12N65 650V, 12A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 750V@150℃ The AOT12N65 & AOTF12N65 & AOB12N65 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET ID (at VGS=10V) 12A process that is designed to deliver high levels of RDS(ON) (at VGS=10V) < 0.72Ω performance and robustness in popular AC-DC applications. By providing low RDS

 

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