2N65Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N65Z

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 28 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 650 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 25 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 40 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 3.9 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-251, TO-252, TO-220F, TO-220F1

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2N65Z Datasheet (PDF)

1.1. 2n65z.pdf Size:201K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2N65Z Power MOSFET 2A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET 1 1 DESCRIPTION TO-251 TO-252 The UTC 2N65Z is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at 1 1 high speed

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