2N65Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N65Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 28 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 650 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 25 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 40 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 3.9 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO-251_TO-252_TO-220F_TO-220F1
Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2N65Z
2N65Z Datasheet (PDF)
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2N65Z Power MOSFET 2A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET 1 1 DESCRIPTION TO-251 TO-252 The UTC 2N65Z is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at 1 1 high speed
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