2N65Z Todos los transistores

 

2N65Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N65Z

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.9 Ohm

Encapsulados: TO-251 TO-252 TO-220F TO-220F1

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2N65Z datasheet

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2N65Z

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2N65Z Power MOSFET 2A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET 1 1 DESCRIPTION TO-251 TO-252 The UTC 2N65Z is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at 1 1 high sp

Otros transistores... 15N65 , 18N65 , 20N65 , 22N65 , 1N65A , 1N65 , 2N65 , 2N65L , STF13NM60N , 2N65K , 3N65A , 3N65 , 3N65Z , 3N65K , 4N65 , 4N65Z , 4N65K .

 

 

 


 
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