Справочник MOSFET. 2N65Z

 

2N65Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2N65Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 9 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.9 Ohm
   Тип корпуса: TO-251 TO-252 TO-220F TO-220F1
 

 Аналог (замена) для 2N65Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N65Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  utc
 2n65z.pdf pdf_icon

2N65Z

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2N65Z Power MOSFET 2A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET 11 DESCRIPTION TO-251 TO-252The UTC 2N65Z is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at 1 1high sp

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FDPF8N50NZU | ZVNL110G

 

 
Back to Top

 


 
.