3N65A Todos los transistores

 

3N65A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3N65A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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3N65A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:358K  utc
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3N65A

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 3N65A Power MOSFET 3A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 3N65A is a high voltage and high current power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used in the high speed switching appli

 0.1. Size:345K  wuxi china
 cs3n65a4h-g.pdf pdf_icon

3N65A

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS3N65 A4H-G General Description VDSS 650 V CS3N65 A4H-G the silicon N-channel Enhanced ID 3 A PD (TC=25) 55 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 2.9 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

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History: PSMN9R5-100BS

 

 
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