3N65A - описание и поиск аналогов

 

3N65A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3N65A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.9 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для 3N65A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

3N65A даташит

 ..1. Size:358K  utc
 3n65a.pdf pdf_icon

3N65A

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 3N65A Power MOSFET 3A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 3N65A is a high voltage and high current power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used in the high speed switching appli

 0.1. Size:345K  wuxi china
 cs3n65a4h-g.pdf pdf_icon

3N65A

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS3N65 A4H-G General Description VDSS 650 V CS3N65 A4H-G the silicon N-channel Enhanced ID 3 A PD (TC=25 ) 55 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 2.9 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

Другие MOSFET... 20N65 , 22N65 , 1N65A , 1N65 , 2N65 , 2N65L , 2N65Z , 2N65K , 2N60 , 3N65 , 3N65Z , 3N65K , 4N65 , 4N65Z , 4N65K , 5N65 , 5N65K .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.