3N65A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 3N65A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 30 ns
Выходная емкость (Cd): 50 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.9 Ohm
Тип корпуса: TO-252
3N65A Datasheet (PDF)
3n65a.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 3N65A Power MOSFET 3A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 3N65A is a high voltage and high current power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used in the high speed switching appli
cs3n65a4h-g.pdf
Silicon N-Channel Power MOSFET R CS3N65 A4H-G General Description VDSS 650 V CS3N65 A4H-G the silicon N-channel Enhanced ID 3 A PD (TC=25) 55 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 2.9 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
