Справочник MOSFET. 3N65A

 

3N65A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 3N65A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.9 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для 3N65A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

3N65A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:358K  utc
 3n65a.pdf pdf_icon

3N65A

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 3N65A Power MOSFET 3A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 3N65A is a high voltage and high current power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used in the high speed switching appli

 0.1. Size:345K  wuxi china
 cs3n65a4h-g.pdf pdf_icon

3N65A

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS3N65 A4H-G General Description VDSS 650 V CS3N65 A4H-G the silicon N-channel Enhanced ID 3 A PD (TC=25) 55 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 2.9 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

Другие MOSFET... 20N65 , 22N65 , 1N65A , 1N65 , 2N65 , 2N65L , 2N65Z , 2N65K , IRF830 , 3N65 , 3N65Z , 3N65K , 4N65 , 4N65Z , 4N65K , 5N65 , 5N65K .

 

 
Back to Top

 


 
.